Technologie: Magnetoresistive, Achse: Single, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: ±0.6mT, Spannungsversorgung: 2V ~ 25V,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Ausgabetyp: I²C, Erfassungsbereich: ±0.2mT, Spannungsversorgung: 2.7V ~ 5.2V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: ±0.6mT, Spannungsversorgung: 1.8V ~ 20V,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: I²C, Erfassungsbereich: ±0.8mT, Spannungsversorgung: 2.16V ~ 3.6V, Strom - Versorgung (max.): 100µA (Typ),
Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: ±0.2mT, Spannungsversorgung: 5V ~ 12V,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 12V,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: 65mT ~ 100mT, Spannungsversorgung: 2.7V ~ 6.5V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±100mT, Spannungsversorgung: 6.6V ~ 12.6V, Strom - Versorgung (max.): 30mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±250mT, Spannungsversorgung: 6.6V ~ 12.6V, Strom - Versorgung (max.): 30mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: PWM, SENT, Erfassungsbereich: ±20mT ~ ±100mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 13mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±1mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±73mT, Spannungsversorgung: 2.5V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±9mT, Spannungsversorgung: 2.5V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±35mT, Spannungsversorgung: 2.5V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±18mT, Spannungsversorgung: 2.5V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: Analog, PWM, Erfassungsbereich: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 16mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: 62mT ~ 156mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 9mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: Unlimited, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 6.5mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: Unlimited, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 4.5mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: SPI, Erfassungsbereich: ±20mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 3mA,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: PWM,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Open Drain, PWM, Erfassungsbereich: ±50mT ~ ±200mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 8mA,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 5V ~ 8V,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Strom - Versorgung (max.): 20mA,
