Technologie: Magnetoresistive, Achse: Single, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: 2mT ~ 20mT, Spannungsversorgung: 1V ~ 12.5V,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: Single, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: 1mT ~ 7mT, Spannungsversorgung: 1V ~ 24V,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: Single, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: 0.5mT ~ 3.5mT, Spannungsversorgung: 1V ~ 24V,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 8mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: I²C, Spannungsversorgung: 2.65V ~ 3.5V, Strom - Versorgung (max.): 6.7mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 11.5mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: SPI, Spannungsversorgung: 26.5V,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 6V, Strom - Versorgung (max.): 11mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 12mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: PWM, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 16V, Strom - Versorgung (max.): 19mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Spannungsversorgung: 2.5V ~ 3.5V, Strom - Versorgung (max.): 3.2mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: I²C, Erfassungsbereich: ±4.9mT, Spannungsversorgung: 2.4V ~ 3.6V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: X, Y, Z, Ausgabetyp: I²C, SPI, Erfassungsbereich: ±4.9mT, Spannungsversorgung: 2.4V ~ 3.6V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,