Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

OPB870N55TX

Teilbestand: 328

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390L11Z

Teilbestand: 17597

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel.

OPB871N51TX

Teilbestand: 347

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel.

OPB860P51

Teilbestand: 5987

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390P55

Teilbestand: 6045

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB872T55TXV

Teilbestand: 327

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB857

Teilbestand: 6015

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB852A1

Teilbestand: 36623

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB871T51

Teilbestand: 38346

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB842W51

Teilbestand: 6080

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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Omron Electronics Inc-EMC Div

OPB801W55

Teilbestand: 6003

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SX1107

Teilbestand: 88000

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

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Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA113

Teilbestand: 5994

Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ3-C

Teilbestand: 13316

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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H22B5

Teilbestand: 6101

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V,

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H21A4

Teilbestand: 6059

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V,

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QVE11233

Teilbestand: 5993

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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QVA21114

Teilbestand: 6045

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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Sharp Microelectronics

GP1S094HCZ

Teilbestand: 9672

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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Sharp Microelectronics

GP1L52VJ000F

Teilbestand: 5990

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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WFM80-60N321

Teilbestand: 106

Erfassungsabstand: 3.150" (80mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: NPN,

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WF120-40B416

Teilbestand: 63

Erfassungsabstand: 4.724" (120mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: PNP/NPN,

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WF50-60B410

Teilbestand: 113

Erfassungsabstand: 1.969" (50mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: PNP/NPN,

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WFM180-120P321

Teilbestand: 40

Erfassungsabstand: 7.087" (180mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: PNP,

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WFM180-120N311

Teilbestand: 53

Erfassungsabstand: 7.087" (180mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: NPN,

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Panasonic Industrial Automation Sales

WF2-40B416

Teilbestand: 88

Erfassungsabstand: 0.079" (2mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: PNP/NPN,

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PM-F24-R

Teilbestand: 6044

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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Panasonic Industrial Automation Sales

PM-T44P

Teilbestand: 5946

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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Panasonic Industrial Automation Sales

PM-T54

Teilbestand: 6102

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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HOA0872-T55

Teilbestand: 19212

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Transistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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HOA1874-011

Teilbestand: 9612

Erfassungsabstand: 0.120" (3.05mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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HOA1873-012

Teilbestand: 10378

Erfassungsabstand: 0.100" (2.54mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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HOA0892-L55

Teilbestand: 7321

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Transistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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