Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

OPB380L11

Teilbestand: 6024

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB827C

Teilbestand: 6131

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB360T11

Teilbestand: 5991

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB870L11

Teilbestand: 6050

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB821TXV

Teilbestand: 260

Erfassungsabstand: 0.080" (2.03mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB852A3

Teilbestand: 9648

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB680-20

Teilbestand: 28213

Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: Transistor, Base-Emitter Resistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB891N55

Teilbestand: 6048

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB880P11Z

Teilbestand: 6128

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB836L51

Teilbestand: 6089

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB890P55

Teilbestand: 6087

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB870L55TXV

Teilbestand: 353

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB872L51TXV

Teilbestand: 295

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB611

Teilbestand: 5996

Erfassungsabstand: 0.15" (3.8mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Transistor, Base-Emitter Resistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

OPB872L51

Teilbestand: 6084

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

WF30-95B416

Teilbestand: 111

Erfassungsabstand: 1.181" (30mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: PNP/NPN,

WFM30-40N321

Teilbestand: 92

Erfassungsabstand: 1.181" (30mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: NPN,

HOA0890-T55

Teilbestand: 8625

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Transistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

HOA0890-N55

Teilbestand: 16825

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Transistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SX975-C1

Teilbestand: 1927

Erfassungsabstand: 0.020" (0.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SX977-C1

Teilbestand: 1925

Erfassungsabstand: 0.020" (0.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SX913-R 3M

Teilbestand: 6053

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector,

EE-SX911P-R 3M

Teilbestand: 6029

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Open Collector,

QVB11223

Teilbestand: 5947

H21B4

Teilbestand: 5933

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V,

QCK5TR

Teilbestand: 6114

Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SX2088

Teilbestand: 6060

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

EE-SK3W-B

Teilbestand: 6096

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 15mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

CNA1007H

Teilbestand: 6077

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

PM-L44P

Teilbestand: 6015

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

GP1S53V

Teilbestand: 5992

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

GP1S73P2

Teilbestand: 6058

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

GP1S525V

Teilbestand: 83304

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 20mA,

RPI-122F

Teilbestand: 94519

Erfassungsabstand: 0.031" (0.8mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

LTH-306-35

Teilbestand: 6077

LTH-306-06W1

Teilbestand: 9608