Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

OPB800W51Z

Teilbestand: 18957

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB821S10Z

Teilbestand: 16874

Erfassungsabstand: 0.080" (2.03mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB380T51Z

Teilbestand: 17979

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB830W11Z

Teilbestand: 15160

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB365T11

Teilbestand: 29928

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPS665

Teilbestand: 62065

Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB852A2

Teilbestand: 35046

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB811W55Z

Teilbestand: 20389

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB815WZ

Teilbestand: 17279

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB370N51

Teilbestand: 32289

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB817Z

Teilbestand: 19833

Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB810W55Z

Teilbestand: 20137

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB870T51TX

Teilbestand: 348

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB829DZ

Teilbestand: 22483

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB890P51Z

Teilbestand: 20424

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB350W125Z

Teilbestand: 11417

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Liquid, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB830W55Z

Teilbestand: 18829

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB891P55Z

Teilbestand: 22058

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB360T51

Teilbestand: 36508

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

OPB825

Teilbestand: 45244

Erfassungsabstand: 0.160" (4.06mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

LTH-301-32

Teilbestand: 66059

Erfassungsabstand: 0.591" (15mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

PM-T64P

Teilbestand: 3692

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

PM-F64P

Teilbestand: 3634

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

TCST1202

Teilbestand: 45781

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

EE-SX1055

Teilbestand: 23952

Erfassungsabstand: 0.110" (2.8mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SH3-GS

Teilbestand: 15860

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SV3-B

Teilbestand: 11328

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SX153

Teilbestand: 14873

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

SFH 9540

Teilbestand: 135295

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

EE-SX951P-R 1M

Teilbestand: 2501

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

EE-SX951P-W 1M

Teilbestand: 2930

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

EE-SX971P-C1

Teilbestand: 2380

Erfassungsabstand: 0.020" (0.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EE-SX976-C1

Teilbestand: 2332

Erfassungsabstand: 0.020" (0.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

H21A2

Teilbestand: 37423

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector/Light-ON, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 3mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

RPI-2501

Teilbestand: 50505

Erfassungsabstand: 1.6mm, Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 35mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

EAITRDA2

Teilbestand: 160063