Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

OPB380L51Z

OPB380L51Z

Teilbestand: 18656

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB880P55Z

OPB880P55Z

Teilbestand: 20356

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB800L51

OPB800L51

Teilbestand: 32075

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB876T55

OPB876T55

Teilbestand: 34276

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB842W51Z

OPB842W51Z

Teilbestand: 19424

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB365P55

OPB365P55

Teilbestand: 29903

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPS691

OPS691

Teilbestand: 85168

Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB891T51Z

OPB891T51Z

Teilbestand: 20370

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB812W55Z

OPB812W55Z

Teilbestand: 19286

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB825B

OPB825B

Teilbestand: 47883

Erfassungsabstand: 0.160" (4.06mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB855

OPB855

Teilbestand: 40968

Erfassungsabstand: 0.205" (5.21mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB828C

OPB828C

Teilbestand: 42099

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB890L11Z

OPB890L11Z

Teilbestand: 17397

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB880T51Z

OPB880T51Z

Teilbestand: 19265

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390T51Z

OPB390T51Z

Teilbestand: 17988

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB370N11

OPB370N11

Teilbestand: 33627

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB420BZ

OPB420BZ

Teilbestand: 16131

Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 20mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

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OPB885Z

OPB885Z

Teilbestand: 10869

Erfassungsabstand: 0.374" (9.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB821S3Z

OPB821S3Z

Teilbestand: 16968

Erfassungsabstand: 0.080" (2.03mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB360N51

OPB360N51

Teilbestand: 36872

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SH3-B

EE-SH3-B

Teilbestand: 15230

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SX1340

EE-SX1340

Teilbestand: 64711

Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V,

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EE-SH3-C

EE-SH3-C

Teilbestand: 10574

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SX1320

EE-SX1320

Teilbestand: 126846

Erfassungsabstand: 0.079" (2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 5mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA,

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EE-SX1035

EE-SX1035

Teilbestand: 18256

Erfassungsabstand: 0.205" (5.2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SX1321

EE-SX1321

Teilbestand: 82172

Erfassungsabstand: 0.079" (2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA,

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EE-SX972-C1

EE-SX972-C1

Teilbestand: 2399

Erfassungsabstand: 0.020" (0.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SX771R 5M

EE-SX771R 5M

Teilbestand: 975

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Open Collector/Dark-ON,

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EE-SX974P-C1

EE-SX974P-C1

Teilbestand: 2321

Erfassungsabstand: 0.020" (0.5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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EE-SX951-W 3M

EE-SX951-W 3M

Teilbestand: 2568

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

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TCST1030

TCST1030

Teilbestand: 62621

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

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TCST5250

TCST5250

Teilbestand: 40523

Erfassungsabstand: 0.106" (2.7mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

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TCST2300

TCST2300

Teilbestand: 35047

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

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RPI-129BN

RPI-129BN

Teilbestand: 69168

Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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RPI-0226

RPI-0226

Teilbestand: 177561

Erfassungsabstand: 0.047" (1.2mm), Ausgangskonfiguration: Transistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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GP1S53VJ000F

GP1S53VJ000F

Teilbestand: 58604

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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