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Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

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CE3520K3
CEL

CE3520K3

Teilbestand: 36341

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 13.8dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.8dB,

Wunschzettel
CE3521M4-C2
CEL

CE3521M4-C2

Teilbestand: 143067

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 11.9dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 1.05dB,

Wunschzettel
CE3521M4
CEL

CE3521M4

Teilbestand: 45539

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 11.9dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 1.05dB,

Wunschzettel
CE3512K2
CEL

CE3512K2

Teilbestand: 49907

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.7dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.5dB,

Wunschzettel
NE552R679A-A
CEL

NE552R679A-A

Teilbestand: 6643

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 460MHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 3V, Aktuelle Bewertung: 350mA,

Wunschzettel
CE3514M4
CEL

CE3514M4

Teilbestand: 63168

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12.2dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.62dB,

Wunschzettel
CE3520K3-C1
CEL

CE3520K3-C1

Teilbestand: 117189

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 13.8dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.8dB,

Wunschzettel
CE3514M4-C2
CEL

CE3514M4-C2

Teilbestand: 143118

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12.2dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 68mA, Rauschzahl: 0.62dB,

Wunschzettel
NE6510179A-A
CEL

NE6510179A-A

Teilbestand: 6123

Transistortyp: HFET, Frequenz: 1.9GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 3.5V, Aktuelle Bewertung: 2.8A,

Wunschzettel
NE3520S03-A
CEL

NE3520S03-A

Teilbestand: 6264

Transistortyp: HFET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.65dB,

Wunschzettel
NE3515S02-A
CEL

NE3515S02-A

Teilbestand: 6239

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 88mA, Rauschzahl: 0.3dB,

Wunschzettel
NE5550234-AZ
CEL

NE5550234-AZ

Teilbestand: 6257

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 23.5dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 600mA,

Wunschzettel
NE3509M04-A
CEL

NE3509M04-A

Teilbestand: 6085

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.4dB,

Wunschzettel
NE3503M04-T2B-A
CEL

NE3503M04-T2B-A

Teilbestand: 5505

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE34018-T1-64-A
CEL

NE34018-T1-64-A

Teilbestand: 6151

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.6dB,

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NE3521M04-A
CEL

NE3521M04-A

Teilbestand: 6242

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.85dB,

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NE5550779A-T1-A
CEL

NE5550779A-T1-A

Teilbestand: 6262

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 22dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 2.1A,

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NE25139-T1
CEL

NE25139-T1

Teilbestand: 6080

Transistortyp: MESFET Dual Gate, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 5V, Aktuelle Bewertung: 40mA, Rauschzahl: 1.1dB,

Wunschzettel
NE5550279A-T1-A
CEL

NE5550279A-T1-A

Teilbestand: 6234

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 600mA,

Wunschzettel
NE34018-64-A
CEL

NE34018-64-A

Teilbestand: 6126

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.6dB,

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NE3511S02-A
CEL

NE3511S02-A

Teilbestand: 6093

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.3dB,

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NE3516S02-T1C-A
CEL

NE3516S02-T1C-A

Teilbestand: 6233

Transistortyp: N-Channel GaAs HJ-FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.35dB,

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NE34018-A
CEL

NE34018-A

Teilbestand: 6128

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.6dB,

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NE3503M04-T2-A
CEL

NE3503M04-T2-A

Teilbestand: 6138

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE650103M-A
CEL

NE650103M-A

Teilbestand: 6105

Transistortyp: MESFET, Frequenz: 2.3GHz, Dazugewinnen: 11dB, Spannung - Test: 10V, Aktuelle Bewertung: 5A,

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NE552R679A-T1A-A
CEL

NE552R679A-T1A-A

Teilbestand: 13246

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 460MHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 3V, Aktuelle Bewertung: 350mA,

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NE651R479A-T1-A
CEL

NE651R479A-T1-A

Teilbestand: 6062

Transistortyp: HFET, Frequenz: 1.9GHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 3.5V, Aktuelle Bewertung: 1A,

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NE4210S01
CEL

NE4210S01

Teilbestand: 6215

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.5dB,

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NE651R479A-A
CEL

NE651R479A-A

Teilbestand: 6116

Transistortyp: HFET, Frequenz: 1.9GHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 3.5V, Aktuelle Bewertung: 1A,

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NE5531079A-T1-A
CEL

NE5531079A-T1-A

Teilbestand: 6238

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 460MHz, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

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NE3512S02-T1C-A
CEL

NE3512S02-T1C-A

Teilbestand: 6219

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.35dB,

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NE5531079A-T1A-A
CEL

NE5531079A-T1A-A

Teilbestand: 4668

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 460MHz, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

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NE3512S02-A
CEL

NE3512S02-A

Teilbestand: 6117

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.35dB,

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NE3516S02-A
CEL

NE3516S02-A

Teilbestand: 6211

Transistortyp: N-Channel GaAs HJ-FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.35dB,

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NE3210S01
CEL

NE3210S01

Teilbestand: 4684

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.35dB,

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NE3517S03-T1C-A
CEL

NE3517S03-T1C-A

Teilbestand: 6262

Transistortyp: HFET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.7dB,

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