Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

NE5531079A-A

NE5531079A-A

Teilbestand: 4643

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 460MHz, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

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NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

Teilbestand: 6159

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.14GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 28V, Aktuelle Bewertung: 250mA, 1A,

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NE5550279A-A

NE5550279A-A

Teilbestand: 6254

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 600mA,

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CE3512K2-C1

CE3512K2-C1

Teilbestand: 178804

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.7dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.5dB,

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NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

Teilbestand: 6074

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

Teilbestand: 6232

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.4dB,

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NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Teilbestand: 6183

Transistortyp: HFET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.65dB,

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NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Teilbestand: 6248

Transistortyp: N-Channel GaAs HJ-FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.65dB,

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NE3503M04-A

NE3503M04-A

Teilbestand: 6122

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE3510M04-A

NE3510M04-A

Teilbestand: 6118

Transistortyp: HFET, Frequenz: 4GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 97mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Teilbestand: 6279

Transistortyp: N-Channel GaAs HJ-FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.65dB,

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NE34018-T1

NE34018-T1

Teilbestand: 6106

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.6dB,

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NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Teilbestand: 6194

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.3dB,

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NE4210S01-T1B

NE4210S01-T1B

Teilbestand: 6275

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.5dB,

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NE5550979A-A

NE5550979A-A

Teilbestand: 6262

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 22dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

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NE5550979A-T1-A

NE5550979A-T1-A

Teilbestand: 6274

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 22dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

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NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Teilbestand: 6248

Transistortyp: N-Channel GaAs HJ-FET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 11dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.85dB,

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NE3210S01-T1B

NE3210S01-T1B

Teilbestand: 6262

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.35dB,

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NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Teilbestand: 6217

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 88mA, Rauschzahl: 0.3dB,

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NE3514S02-A

NE3514S02-A

Teilbestand: 6171

Transistortyp: HFET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.75dB,

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NE3513M04-A

NE3513M04-A

Teilbestand: 6253

Transistortyp: N-Channel GaAs HJ-FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.65dB,

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NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Teilbestand: 6266

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 88mA, Rauschzahl: 0.3dB,

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NE34018-T1-A

NE34018-T1-A

Teilbestand: 6108

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.6dB,

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NE5511279A-T1-A

NE5511279A-T1-A

Teilbestand: 6257

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 15dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

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NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Teilbestand: 6133

Transistortyp: HFET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.75dB,

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NE350184C

NE350184C

Teilbestand: 6165

Transistortyp: HFET, Frequenz: 20GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.7dB,

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NE25139-T1-U73

NE25139-T1-U73

Teilbestand: 6048

Transistortyp: MESFET Dual Gate, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 5V, Aktuelle Bewertung: 40mA, Rauschzahl: 1.1dB,

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NE3508M04-A

NE3508M04-A

Teilbestand: 6078

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE5520379A-T1A-A

NE5520379A-T1A-A

Teilbestand: 4629

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 915MHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 3.2V, Aktuelle Bewertung: 1.5A,

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NE5550234-T1-AZ

NE5550234-T1-AZ

Teilbestand: 6058

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 23.5dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 600mA,

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NE5550779A-A

NE5550779A-A

Teilbestand: 6196

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 900MHz, Dazugewinnen: 22dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 2.1A,

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NE6510179A-T1-A

NE6510179A-T1-A

Teilbestand: 6163

Transistortyp: HFET, Frequenz: 1.9GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 3.5V, Aktuelle Bewertung: 2.8A,

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NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Teilbestand: 6269

Transistortyp: HFET, Frequenz: 4GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 97mA, Rauschzahl: 0.45dB,

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NE55410GR-AZ

NE55410GR-AZ

Teilbestand: 6169

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.14GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 28V, Aktuelle Bewertung: 250mA, 1A,

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