FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1mA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 860mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 650mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 650mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
