Erinnerung

FM25040B-GA1TR

Teilbestand: 1593

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FRAM, Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM), Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 14MHz,

S26KS512SDGBHN030

Teilbestand: 3974

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz,

CG8232AAT

Teilbestand: 1443

CG8102AAT

Teilbestand: 8043

S29WS512P0SBFW000

Teilbestand: 1264

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 80MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

S29GL01GT11TFB020

Teilbestand: 172

CG7910AA

Teilbestand: 7849

S26KS512SDABHN030

Teilbestand: 3808

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 100MHz,

CY62157ELL-55ZSXE

Teilbestand: 5553

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

QMP29GL01GP11FAIR10

Teilbestand: 1641

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8),

CG7910AAT

Teilbestand: 7808

CG8223AA

Teilbestand: 1470

S26KL512SDABHM030

Teilbestand: 4062

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 100MHz,

CY62167G30-45ZXIT

Teilbestand: 4806

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

CG8255AA

Teilbestand: 1575

CY7C1361C-100AXC

Teilbestand: 5332

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 9Mb (256K x 36), Taktfrequenz: 100MHz,

CY7C1061G30-10BV1XIT

Teilbestand: 4686

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

S26KS256SDGBHM030

Teilbestand: 4711

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz,

CY7C1061G30-10BVJXIT

Teilbestand: 4745

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

CY14B101LA-ZS25XIT

Teilbestand: 4815

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

CG8231AAT

Teilbestand: 1352

CY15B101N-ZS60XA

Teilbestand: 4619

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FRAM, Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

CG8231AA

Teilbestand: 9198

CG7985AA

Teilbestand: 7926

CY62156HSL-45BVXI

Teilbestand: 6165

CY62157EV30LL-55ZSXE

Teilbestand: 7032

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

CG8100AA

Teilbestand: 8013

QMP29GL01GP11FAIR12

Teilbestand: 1583

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8),

QMP29GL01GP12FAI020

Teilbestand: 1625

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8),

CY14B256LA-SP25XI

Teilbestand: 5582

CY7C1049BNL-17VCT

Teilbestand: 8113

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 17ns,

QMP29GL01GP11FFSS80

Teilbestand: 1633

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8),

S26KS512SDPBHN020

Teilbestand: 3998

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 166MHz,

CY62167EV30LL-45ZXA

Teilbestand: 4809

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

CY7C1061GN30-10BVJXIT

Teilbestand: 136

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

CG8233AAT

Teilbestand: 1429