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S34ML01G200TFV000

S34ML01G200TFV000

Teilbestand: 17835

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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S25FL164K0XMFIS11

S25FL164K0XMFIS11

Teilbestand: 5632

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S25FL132K0XBHV030

S25FL132K0XBHV030

Teilbestand: 4557

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S29GL064N11FFIV22

S29GL064N11FFIV22

Teilbestand: 3802

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns,

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S34MS02G104BHV010

S34MS02G104BHV010

Teilbestand: 5289

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (128M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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S25FL129P0XNFV010

S25FL129P0XNFV010

Teilbestand: 4468

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

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S34MS01G200BHA003

S34MS01G200BHA003

Teilbestand: 6765

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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S34ML02G100TFI900

S34ML02G100TFI900

Teilbestand: 5056

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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S34MS02G200TFI000

S34MS02G200TFI000

Teilbestand: 10256

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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S34MS04G200BHI003

S34MS04G200BHI003

Teilbestand: 4180

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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S25FL129P0XBHIY03

S25FL129P0XBHIY03

Teilbestand: 3443

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

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S25FL164K0XMFV011

S25FL164K0XMFV011

Teilbestand: 5595

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S25FL116K0XMFIS10

S25FL116K0XMFIS10

Teilbestand: 4328

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S34ML02G200BHI500

S34ML02G200BHI500

Teilbestand: 2956

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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CY7C185-15VIT

CY7C185-15VIT

Teilbestand: 7726

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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S34ML01G200GHI000

S34ML01G200GHI000

Teilbestand: 20343

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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CY7C1041DV33-10ZSXIT

CY7C1041DV33-10ZSXIT

Teilbestand: 6562

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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S25FL129P0XBHV310

S25FL129P0XBHV310

Teilbestand: 4413

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

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S29PL127J70BFI000

S29PL127J70BFI000

Teilbestand: 5819

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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S34MS04G100BHB003

S34MS04G100BHB003

Teilbestand: 6809

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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CY14V101QS-SF108XI

CY14V101QS-SF108XI

Teilbestand: 5126

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Taktfrequenz: 108MHz,

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S29GL01GS11TFB020
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S34ML04G100TFI900

S34ML04G100TFI900

Teilbestand: 5147

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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S25FL132K0XBHIS20

S25FL132K0XBHIS20

Teilbestand: 4452

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S25FL116K0XBHI020

S25FL116K0XBHI020

Teilbestand: 104657

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S29GL01GT10TFA010

S29GL01GT10TFA010

Teilbestand: 6122

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

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S25FL116K0XBHI030

S25FL116K0XBHI030

Teilbestand: 4907

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S34ML04G100BHV000

S34ML04G100BHV000

Teilbestand: 5967

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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S25FL116K0XNFIQ10

S25FL116K0XNFIQ10

Teilbestand: 4332

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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S25FL129P0XBHV203

S25FL129P0XBHV203

Teilbestand: 3539

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

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S29AS008J70BFI032

S29AS008J70BFI032

Teilbestand: 3754

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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S71GL064NB0BHW0P0

S71GL064NB0BHW0P0

Teilbestand: 7406

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, RAM, Technologie: FLASH, PSRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), 32Mb (2M x 16),

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S29AL008J70YEI029

S29AL008J70YEI029

Teilbestand: 3158

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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S34MS01G104BHB080

S34MS01G104BHB080

Teilbestand: 5325

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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CY7C1364CV33-166AXC

CY7C1364CV33-166AXC

Teilbestand: 5868

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 8Mb (256K x 32), Taktfrequenz: 166MHz,

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S25FL116K0XMFIS11

S25FL116K0XMFIS11

Teilbestand: 5472

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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