Erinnerung

S40410081B1B2I000

Teilbestand: 7629

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 8Gb (1G x 8), Taktfrequenz: 200MHz,

S40410161B1B1W010

Teilbestand: 5446

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 16Gb (2G x 8), Taktfrequenz: 200MHz,

S29PL127J60TFI130

Teilbestand: 7626

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

S25FL164K0XBHV020

Teilbestand: 4580

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S25FL116K0XMFIQ11

Teilbestand: 7562

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S25FL116K0XMFIS13

Teilbestand: 3366

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S71KS512SC0BHB000

Teilbestand: 7576

S70GL02GS11FHI013

Teilbestand: 125

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Gb (128M x 16),

S34ML01G200TFA003

Teilbestand: 4035

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

S29PL127J80BFI010

Teilbestand: 4841

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

CG7841AAT

Teilbestand: 7885

S34ML04G200BHA000

Teilbestand: 5776

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

S34ML04G100BHV003

Teilbestand: 4106

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

CY62167G30-45ZXAT

Teilbestand: 5131

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

S70GL02GS11FHI023

Teilbestand: 117

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Gb (128M x 16),

S34ML01G200BHV000

Teilbestand: 4923

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

S25FL032P0XMFI013

Teilbestand: 1485

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

S25FL064P0XMFV001

Teilbestand: 5410

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

S25FL129P0XNFV001

Teilbestand: 5557

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

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Teilbestand: 5909

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 9Mb (256K x 36), Taktfrequenz: 133MHz,

S34MS04G100TFB003

Teilbestand: 6842

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

S34ML16G202TFI200

Teilbestand: 1995

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 16Gb (2G x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

S25FL132K0XBHV033

Teilbestand: 3627

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S25FL164K0XMFV001

Teilbestand: 5606

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S25FL129P0XMFI011

Teilbestand: 5567

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

S25FL132K0XMFV040

Teilbestand: 4517

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S70GL02GS12FHIV23

Teilbestand: 110

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Gb (128M x 16),

S40410161B1B1W013

Teilbestand: 6852

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 16Gb (2G x 8), Taktfrequenz: 200MHz,

S25FL164K0XNFV011

Teilbestand: 5657

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

S34MS01G104BHB013

Teilbestand: 6725

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

S29GL256S10WEI029

Teilbestand: 3245

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

S29AL008J70WHN019

Teilbestand: 3117

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

S25FL129P0XMFV003

Teilbestand: 3598

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

S34ML01G200TFB003

Teilbestand: 4069

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

S34MS04G204WFI019

Teilbestand: 3320

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (256M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

S34ML04G200BHV003

Teilbestand: 6677

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,