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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFS17NQTA
Diodes Incorporated

BFS17NQTA

Teilbestand: 161551

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 310mW,

Wunschzettel
BFS17NTA
Diodes Incorporated

BFS17NTA

Teilbestand: 157726

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
BFS17HTC
Diodes Incorporated

BFS17HTC

Teilbestand: 7113

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
BFQ31ATA
Diodes Incorporated

BFQ31ATA

Teilbestand: 7113

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
BFQ31ATC
Diodes Incorporated

BFQ31ATC

Teilbestand: 7106

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
BFS17HTA
Diodes Incorporated

BFS17HTA

Teilbestand: 7124

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
BFS17TA
Diodes Incorporated

BFS17TA

Teilbestand: 7136

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
ZUMTS17NTA
Diodes Incorporated

ZUMTS17NTA

Teilbestand: 197753

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
ZUMTS17HTA
Diodes Incorporated

ZUMTS17HTA

Teilbestand: 7202

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
MMBTH10-7-F
Diodes Incorporated

MMBTH10-7-F

Teilbestand: 129901

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel
MMBTH24-7-F
Diodes Incorporated

MMBTH24-7-F

Teilbestand: 197291

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel
ZTX325STOB
Diodes Incorporated

ZTX325STOB

Teilbestand: 7160

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 53dB, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
ZUMT918TA
Diodes Incorporated

ZUMT918TA

Teilbestand: 7065

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
FMMTH10TA
Diodes Incorporated

FMMTH10TA

Teilbestand: 7127

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

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FMMT918TC
Diodes Incorporated

FMMT918TC

Teilbestand: 7099

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
ZTX325STOA
Diodes Incorporated

ZTX325STOA

Teilbestand: 7175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 53dB, Leistung max: 350mW,

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FMMT5179TC
Diodes Incorporated

FMMT5179TC

Teilbestand: 7095

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
MMBTH10-7
Diodes Incorporated

MMBTH10-7

Teilbestand: 7099

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel
FMMT918TA
Diodes Incorporated

FMMT918TA

Teilbestand: 7115

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
FMMT5179TA
Diodes Incorporated

FMMT5179TA

Teilbestand: 7098

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
MMBTH24-7
Diodes Incorporated

MMBTH24-7

Teilbestand: 7036

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel
ZUMTS17HTC
Diodes Incorporated

ZUMTS17HTC

Teilbestand: 7109

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel
ZTX325STZ
Diodes Incorporated

ZTX325STZ

Teilbestand: 7102

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 53dB, Leistung max: 350mW,

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FMMTH10TC
Diodes Incorporated

FMMTH10TC

Teilbestand: 7154

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

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ZTX325
Diodes Incorporated

ZTX325

Teilbestand: 7155

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 53dB, Leistung max: 350mW,

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