Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 12

2N7002VAC-7

Teilbestand: 194320

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DWA-7

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002V-7

Teilbestand: 3285

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DW-7

Teilbestand: 2713

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002VA-7

Teilbestand: 2624

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002VC-7

Teilbestand: 118433

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002VA-7-F

Teilbestand: 32301

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DWQ-7-F

Teilbestand: 140472

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DW-7-F

Teilbestand: 166409

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS8402DWQ-7

Teilbestand: 194681

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS138DWQ-7

Teilbestand: 137105

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS138DWQ-13

Teilbestand: 113029

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS138DW-7-F

Teilbestand: 105835

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS84V-7

Teilbestand: 195633

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

BSS8402DW-7

Teilbestand: 2712

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS84DW-7

Teilbestand: 2665

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

BSS138DW-7

Teilbestand: 2708

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS8402DW-7-F

Teilbestand: 183344

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS84DW-7-F

Teilbestand: 147379

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-13

Teilbestand: 155691

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN21D1UDA-7B

Teilbestand: 144

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 455mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMP6A16DN8QTA

Teilbestand: 85500

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMC3025LNS-13

Teilbestand: 159648

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2990UDJQ-7

Teilbestand: 178697

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN601VKQ-7

Teilbestand: 118878

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2008LFU-7

Teilbestand: 177281

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250A,

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Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8TA

Teilbestand: 87629

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMGD7N45SSD-13

Teilbestand: 105022

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMC4047LSD-13

Teilbestand: 107463

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMNH6022SSD-13

Teilbestand: 191300

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, 22.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN61D8LVT-7

Teilbestand: 191757

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN2022UNS-13

Teilbestand: 159447

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN1006UCA6-7

Teilbestand: 141

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN1002UCA6-7

Teilbestand: 56

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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Diodes Incorporated

DMNH4015SSD-13

Teilbestand: 191364

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2023UCB4-7

Teilbestand: 119

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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