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MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35

Teilbestand: 2109

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35

Teilbestand: 2272

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BCMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35R

Teilbestand: 2946

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35

Teilbestand: 2131

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BCYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35

Teilbestand: 2120

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BCMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35

Teilbestand: 2128

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35

Teilbestand: 2205

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BCYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35R

Teilbestand: 2969

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35R

Teilbestand: 3209

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35R

Teilbestand: 2941

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35R

Teilbestand: 3193

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35R

Teilbestand: 2936

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35

Teilbestand: 2288

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR25H40MDF
Everspin Technologies Inc.

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Teilbestand: 4036

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

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MR4A08BYS35
Everspin Technologies Inc.

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Teilbestand: 2220

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35

Teilbestand: 2698

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35

Teilbestand: 2651

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.

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Teilbestand: 3023

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35

Teilbestand: 3047

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35R

Teilbestand: 3824

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35

Teilbestand: 3049

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR4A16BYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35R

Teilbestand: 3172

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08ACMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35

Teilbestand: 3074

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35

Teilbestand: 3343

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR25H40MDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDFR

Teilbestand: 5891

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

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MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35R

Teilbestand: 3635

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35

Teilbestand: 3314

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35R

Teilbestand: 3625

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35R

Teilbestand: 4676

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35

Teilbestand: 3300

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35R

Teilbestand: 4722

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35R

Teilbestand: 4344

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35R

Teilbestand: 4318

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35

Teilbestand: 3373

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08AMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35

Teilbestand: 4378

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35R

Teilbestand: 3774

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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