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RFQs / Order.
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Erinnerung

MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BYS35R

Teilbestand: 3120

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35

Teilbestand: 3372

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR25H40CDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDC

Teilbestand: 5195

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

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MR20H40CDF
Everspin Technologies Inc.

MR20H40CDF

Teilbestand: 4347

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 50MHz,

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MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35R

Teilbestand: 4312

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35R

Teilbestand: 4540

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35R

Teilbestand: 4595

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35R

Teilbestand: 4271

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR25H40CDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDF

Teilbestand: 5178

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

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MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BSO35R

Teilbestand: 5055

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR20H40CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR20H40CDFR

Teilbestand: 6410

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 50MHz,

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MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVMA35R

Teilbestand: 7143

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR20H40DF
Everspin Technologies Inc.

MR20H40DF

Teilbestand: 7092

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 50MHz,

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MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BSO35

Teilbestand: 8800

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR20H40DFR
Everspin Technologies Inc.

MR20H40DFR

Teilbestand: 7150

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 50MHz,

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MR0D08BMA45
Everspin Technologies Inc.

MR0D08BMA45

Teilbestand: 6312

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVMA35

Teilbestand: 6821

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACYS35

Teilbestand: 5925

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACMA35

Teilbestand: 5961

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMYS35R

Teilbestand: 5945

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMYS35

Teilbestand: 5660

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR25H40CDCR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDCR

Teilbestand: 7730

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

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MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AYS35

Teilbestand: 6355

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0D08BMA45R
Everspin Technologies Inc.

MR0D08BMA45R

Teilbestand: 8875

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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MR0A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCSO35R

Teilbestand: 3075

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR25H40CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDFR

Teilbestand: 7694

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

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MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACMA35R

Teilbestand: 8325

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCSO35

Teilbestand: 3017

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCSO35

Teilbestand: 3064

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BYS35

Teilbestand: 6281

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCSO35R

Teilbestand: 385

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMA35R

Teilbestand: 8881

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BSO35R

Teilbestand: 8910

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0DL08BMA45R
Everspin Technologies Inc.

MR0DL08BMA45R

Teilbestand: 8487

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BSO35

Teilbestand: 8920

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVYS35R

Teilbestand: 7108

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: RAM, Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM), Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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