Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

2N7639-GA

Teilbestand: 318

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc) (155°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 15A,

2N7638-GA

Teilbestand: 339

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc) (158°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 8A,

2N7637-GA

Teilbestand: 369

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc) (165°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 7A,

2N7636-GA

Teilbestand: 431

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc) (165°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7635-GA

Teilbestand: 376

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc) (165°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7640-GA

Teilbestand: 339

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc) (155°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 16A,

GA10SICP12-263

Teilbestand: 1777

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 10A,

GA50JT06-258

Teilbestand: 161

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT03-46

Teilbestand: 1073

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 5A,

GA50JT12-247

Teilbestand: 733

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT01-46

Teilbestand: 1236

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 5A,

GA04JT17-247

Teilbestand: 2389

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc) (95°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 4A,

GA08JT17-247

Teilbestand: 1402

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 8A,

GA20JT12-263

Teilbestand: 1840

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 20A,

GA10JT12-263

Teilbestand: 3360

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 10A,

GA05JT12-263

Teilbestand: 5916

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc),

GA50JT12-263

Teilbestand: 816

GA100JT17-227

Teilbestand: 253

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 100A,

GA100JT12-227

Teilbestand: 460

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 100A,

GA20JT12-247

Teilbestand: 2717

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 20A,

GA16JT17-247

Teilbestand: 925

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 16A,

GA10JT12-247

Teilbestand: 3338

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 10A,

GA03JT12-247

Teilbestand: 7277

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Tc) (95°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 460 mOhm @ 3A,

GA20SICP12-247

Teilbestand: 1734

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 20A,

GA50JT17-247

Teilbestand: 438

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT12-247

Teilbestand: 10854

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 5A,

GA06JT12-247

Teilbestand: 6819

Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 6A,