Dioden - Gleichrichter - Arrays

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Dioden - Gleichrichter - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

Teilbestand: 1332

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

Teilbestand: 811

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

Teilbestand: 1880

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

Teilbestand: 1845

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

Teilbestand: 1876

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

Teilbestand: 1213

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

Teilbestand: 729

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

Teilbestand: 1374

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

Teilbestand: 665

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

Teilbestand: 1872

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

Teilbestand: 1478

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

Teilbestand: 1232

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

Teilbestand: 811

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

Teilbestand: 1275

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)

Teilbestand: 1492

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

Teilbestand: 1344

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

Teilbestand: 1195

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

Teilbestand: 1410

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)

Teilbestand: 1484

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)

Teilbestand: 1311

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA500100(A)

Teilbestand: 789

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A02

Teilbestand: 2965

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

Teilbestand: 1570

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)

Teilbestand: 1934

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)

Teilbestand: 1879

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

Teilbestand: 1207

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A02

Teilbestand: 3697

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA50060(A)

Teilbestand: 795

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT250140(A)

Teilbestand: 1411

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTS

Teilbestand: 1445

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A180

Teilbestand: 2631

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 180V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30035R

Teilbestand: 1154

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

Teilbestand: 980

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50045CT

Teilbestand: 1065

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12045CTR

Teilbestand: 1320

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A045

Teilbestand: 3248

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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