Dioden - Gleichrichter - Arrays

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Dioden - Gleichrichter - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MBRF40035

Teilbestand: 1272

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8330SM

Teilbestand: 4061

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FST8380M

Teilbestand: 6666

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10020R

Teilbestand: 1328

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10060

Teilbestand: 1344

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20060R

Teilbestand: 1221

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8340M

Teilbestand: 6765

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20040R

Teilbestand: 1238

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8340SM

Teilbestand: 4100

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20005R

Teilbestand: 1265

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8330M

Teilbestand: 6675

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST83100SM

Teilbestand: 4093

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20020R

Teilbestand: 1218

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10010

Teilbestand: 1316

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20060

Teilbestand: 1224

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8320M

Teilbestand: 6735

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8335M

Teilbestand: 6678

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRF40035R

Teilbestand: 1270

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10040R

Teilbestand: 1374

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20010

Teilbestand: 1205

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10005

Teilbestand: 4079

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20010R

Teilbestand: 1208

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8360M

Teilbestand: 6756

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10040

Teilbestand: 1369

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20020

Teilbestand: 1241

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8380SM

Teilbestand: 4049

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST8345SM

Teilbestand: 4049

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20040

Teilbestand: 1258

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500100

Teilbestand: 1089

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF10020

Teilbestand: 1407

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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