Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 25

MBRT400200

Teilbestand: 2222

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)D

Teilbestand: 1856

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400100CTR

Teilbestand: 1349

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA20060(A)D

Teilbestand: 1235

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A080

Teilbestand: 4336

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30010R

Teilbestand: 1141

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40060R

Teilbestand: 949

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTR

Teilbestand: 1298

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12040

Teilbestand: 1835

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTR

Teilbestand: 1426

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30020CTR

Teilbestand: 1311

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20010R

Teilbestand: 1196

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500150CT

Teilbestand: 1181

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120150R

Teilbestand: 1882

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50045

Teilbestand: 1103

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

Teilbestand: 1588

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A10

Teilbestand: 2905

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

Teilbestand: 1543

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

Teilbestand: 1065

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST120150

Teilbestand: 1674

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

Teilbestand: 1541

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20060

Teilbestand: 1254

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300150

Teilbestand: 1540

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)

Teilbestand: 1517

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA500120

Teilbestand: 941

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30040

Teilbestand: 1272

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR300150CT

Teilbestand: 1488

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

Teilbestand: 1085

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

Teilbestand: 984

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA300120R

Teilbestand: 986

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20020

Teilbestand: 1623

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30020

Teilbestand: 1027

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A12

Teilbestand: 4218

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)

Teilbestand: 1484

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A180

Teilbestand: 3494

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 180V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA50060

Teilbestand: 997

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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