Erinnerung

AS6C8016A-55BIN

AS6C8016A-55BIN

Teilbestand: 12964

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Teilbestand: 10825

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 166MHz,

Wunschzettel
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

Teilbestand: 13275

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

Teilbestand: 14008

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C64M16D2A-25BIN

AS4C64M16D2A-25BIN

Teilbestand: 13480

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C4M32SA-6TIN

AS4C4M32SA-6TIN

Teilbestand: 13988

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C2M32S-6BIN

AS4C2M32S-6BIN

Teilbestand: 14281

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS6C8016-55TINTR

AS6C8016-55TINTR

Teilbestand: 135

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
AS4C64M16MD1A-5BIN

AS4C64M16MD1A-5BIN

Teilbestand: 138

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS6C4008-55PIN

AS6C4008-55PIN

Teilbestand: 13931

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3L-12BIN

AS4C128M8D3L-12BIN

Teilbestand: 13915

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS7C32096A-10TIN

AS7C32096A-10TIN

Teilbestand: 15685

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

Wunschzettel
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Teilbestand: 14090

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS7C34096A-10JCN

AS7C34096A-10JCN

Teilbestand: 14077

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

Wunschzettel
AS7C4098A-12JIN

AS7C4098A-12JIN

Teilbestand: 14067

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS7C34098A-10JIN

AS7C34098A-10JIN

Teilbestand: 14114

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

Wunschzettel
AS7C4096A-15JIN

AS7C4096A-15JIN

Teilbestand: 17709

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS7C4096A-12JIN

AS7C4096A-12JIN

Teilbestand: 14076

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS7C34096A-12JCN

AS7C34096A-12JCN

Teilbestand: 14045

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS4C64M16D3LB-12BAN

AS4C64M16D3LB-12BAN

Teilbestand: 141

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

Teilbestand: 14359

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Teilbestand: 14985

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

Teilbestand: 1202

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

Teilbestand: 1591

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C64M16D2A-25BAN

AS4C64M16D2A-25BAN

Teilbestand: 128

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M8D3LB-12BCN

AS4C256M8D3LB-12BCN

Teilbestand: 113

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Teilbestand: 14878

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3B-12BANTR

AS4C128M8D3B-12BANTR

Teilbestand: 67

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3LB-12BANTR

AS4C128M8D3LB-12BANTR

Teilbestand: 64

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Teilbestand: 109

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 166MHz,

Wunschzettel
AS6C8016-55ZINTR

AS6C8016-55ZINTR

Teilbestand: 14645

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
AS6C8008-55ZINTR

AS6C8008-55ZINTR

Teilbestand: 14566

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

Teilbestand: 15267

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3LA-12BCN

AS4C128M8D3LA-12BCN

Teilbestand: 14640

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

Teilbestand: 164

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 1Gb (32M x 32), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3-12BIN

AS4C128M8D3-12BIN

Teilbestand: 14768

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel