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AS4C8M16D1-5TCNTR

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Teilbestand: 4803

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 7901

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 7855

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

Teilbestand: 7498

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Teilbestand: 7419

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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Teilbestand: 7380

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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Teilbestand: 7327

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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Teilbestand: 7376

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Teilbestand: 7287

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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Teilbestand: 7266

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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Teilbestand: 4761

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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AS6C6264A-70SCNTR

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Teilbestand: 7154

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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Teilbestand: 11604

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 6606

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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AS4C8M16S-6BINTR

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Teilbestand: 6547

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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AS4C2M32S-6TINTR

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Teilbestand: 6457

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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AS7C31025C-10TJIN

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Teilbestand: 4721

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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