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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 36038

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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AS7C31024B-12TCNTR

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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AS7C1026B-12TCNTR

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Teilbestand: 35996

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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AS4C4M16D1A-5TCN

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Teilbestand: 36279

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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AS6C6264-55SCN

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Teilbestand: 36346

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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