Erinnerung

AS4C512M8D3-12BCN

AS4C512M8D3-12BCN

Teilbestand: 1338

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M8D3L-12BCN

AS4C256M8D3L-12BCN

Teilbestand: 1293

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M8D3L-12BIN

AS4C256M8D3L-12BIN

Teilbestand: 1312

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M8D3-12BAN

AS4C256M8D3-12BAN

Teilbestand: 10898

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M8D3-12BCN

AS4C256M8D3-12BCN

Teilbestand: 13168

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M16D3L-12BCN

AS4C256M16D3L-12BCN

Teilbestand: 7975

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 4Gb (256M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Teilbestand: 1139

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 4Gb (256M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M16D3L-12BIN

AS4C256M16D3L-12BIN

Teilbestand: 5147

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 4Gb (256M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Teilbestand: 5903

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 4Gb (256M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Teilbestand: 1054

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 4Gb (256M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3-12BCN

AS4C128M8D3-12BCN

Teilbestand: 1033

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3-12BAN

AS4C128M8D3-12BAN

Teilbestand: 1056

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M8D3L-12BCN

AS4C128M8D3L-12BCN

Teilbestand: 975

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M16D3L-12BIN

AS4C128M16D3L-12BIN

Teilbestand: 1006

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 2Gb (128M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M16D3-12BIN

AS4C128M16D3-12BIN

Teilbestand: 974

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 2Gb (128M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M16D3L-12BCN

AS4C128M16D3L-12BCN

Teilbestand: 924

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3L, Speichergröße: 2Gb (128M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M16D3-12BCN

AS4C128M16D3-12BCN

Teilbestand: 904

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 2Gb (128M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C128M16D3-12BAN

AS4C128M16D3-12BAN

Teilbestand: 957

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 2Gb (128M x 16), Taktfrequenz: 800MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C64M16D2-25BAN

AS4C64M16D2-25BAN

Teilbestand: 11358

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C4M32D1-5BCN

AS4C4M32D1-5BCN

Teilbestand: 9952

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS4C4M32S-6TCN

AS4C4M32S-6TCN

Teilbestand: 9585

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C32M16MD1-6BCN

AS4C32M16MD1-6BCN

Teilbestand: 9495

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C2M32S-5TCN

AS4C2M32S-5TCN

Teilbestand: 9489

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C2M32S-6TCN

AS4C2M32S-6TCN

Teilbestand: 9391

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C4M32S-6TCNTR

AS4C4M32S-6TCNTR

Teilbestand: 9412

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C4M32S-6TINTR

AS4C4M32S-6TINTR

Teilbestand: 9362

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

Teilbestand: 9377

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C2M32S-6TCNTR

AS4C2M32S-6TCNTR

Teilbestand: 9302

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C2M32S-5TCNTR

AS4C2M32S-5TCNTR

Teilbestand: 9293

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

Teilbestand: 9249

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

Teilbestand: 8944

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

Teilbestand: 8863

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
AS4C4M16S-6BIN

AS4C4M16S-6BIN

Teilbestand: 8833

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C4M32S-6TIN

AS4C4M32S-6TIN

Teilbestand: 8787

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

Wunschzettel
AS4C64M16D2-25BIN

AS4C64M16D2-25BIN

Teilbestand: 12526

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
AS4C64M16D2-25BCN

AS4C64M16D2-25BCN

Teilbestand: 14697

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel