Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

IRF7601TRPBF

Teilbestand: 135832

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

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Infineon Technologies

IPD12CNE8N G

Teilbestand: 763

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 85V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 67A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.4 mOhm @ 67A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS4615PBF

Teilbestand: 833

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

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SPS03N60C3BKMA1

Infineon Technologies

SPS03N60C3BKMA1

Teilbestand: 124014

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

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Infineon Technologies

SPB100N03S203T

Teilbestand: 39342

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

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IPP100N04S2L03AKSA1

Infineon Technologies

IPP100N04S2L03AKSA1

Teilbestand: 842

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH8201TRPBF

Teilbestand: 95587

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.95 mOhm @ 50A, 10V,

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IPD50N06S214ATMA1

Infineon Technologies

IPD50N06S214ATMA1

Teilbestand: 826

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.4 mOhm @ 32A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB08CN10N G

Teilbestand: 758

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 95A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR4615PBF

Teilbestand: 95865

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB4321GPBF

Teilbestand: 852

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 83A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V,

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IPB80N04S204ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N04S204ATMA1

Teilbestand: 745

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 80A, 10V,

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IPI80N03S4L04AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N03S4L04AKSA1

Teilbestand: 750

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF8252TRPBF

Teilbestand: 600

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLB8721PBF

Teilbestand: 67229

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 62A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.7 mOhm @ 31A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7739L1TRPBF

Teilbestand: 29691

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,

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Infineon Technologies

IPI08CNE8N G

Teilbestand: 6123

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 85V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.4 mOhm @ 95A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLS3036-7PPBF

Teilbestand: 13929

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

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Infineon Technologies

IPU075N03L G

Teilbestand: 817

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

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IPP100P03P3L-04

Infineon Technologies

IPP100P03P3L-04

Teilbestand: 793

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IRL100HS121

Teilbestand: 13281

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 6.7A, 10V,

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IPP16CN10LGXKSA1

Infineon Technologies

IPP16CN10LGXKSA1

Teilbestand: 838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.7 mOhm @ 54A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7413TRPBF

Teilbestand: 174562

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 7.3A, 10V,

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IRFR3707ZTRRPBF

Infineon Technologies

IRFR3707ZTRRPBF

Teilbestand: 545

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

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IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

IPZ65R045C7XKSA1

Teilbestand: 5179

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.9A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLR8503TRLPBF

Teilbestand: 563

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF2804S-7PPBF

Teilbestand: 12545

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3412TRLPBF

Teilbestand: 572

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 29A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6722STR1PBF

Teilbestand: 572

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.3 mOhm @ 13A, 10V,

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IRFR3706CTRRPBF

Infineon Technologies

IRFR3706CTRRPBF

Teilbestand: 504

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3418PBF

Teilbestand: 518

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 18A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6714MTR1PBF

Teilbestand: 537

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 29A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLU8743PBF

Teilbestand: 44169

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3711ZCSTRRP

Teilbestand: 571

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 92A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6620TRPBF

Teilbestand: 50617

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 27A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLR3717TRLPBF

Teilbestand: 553

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

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