Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 11

2N7002DW L6327

Teilbestand: 2853

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

Teilbestand: 174403

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

94-3449

Teilbestand: 2628

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7103Q

Teilbestand: 3052

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7309QTR

Teilbestand: 108112

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7343QTR

Teilbestand: 94872

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7303QTR

Teilbestand: 101171

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 100µA,

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Infineon Technologies

AUIRF9952Q

Teilbestand: 2919

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7379Q

Teilbestand: 2916

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7342Q

Teilbestand: 3348

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7341Q

Teilbestand: 2859

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7319Q

Teilbestand: 2903

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7313Q

Teilbestand: 2913

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7316Q

Teilbestand: 5424

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7304Q

Teilbestand: 2891

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7309Q

Teilbestand: 2875

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7303Q

Teilbestand: 2880

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 100µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7343Q

Teilbestand: 2791

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

Teilbestand: 64112

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 50µA,

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Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

Teilbestand: 79588

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 25µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7341QTR

Teilbestand: 89718

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7319QTR

Teilbestand: 89679

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7316QTR

Teilbestand: 89739

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7342QTR

Teilbestand: 91383

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7313QTR

Teilbestand: 94924

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7304QTR

Teilbestand: 101244

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7379QTR

Teilbestand: 101249

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7103QTR

Teilbestand: 121994

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF9952QTR

Teilbestand: 125213

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1

Teilbestand: 146163

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

Teilbestand: 94888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSO615NGHUMA1

Teilbestand: 20316

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO330N02KGFUMA1

Teilbestand: 3005

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BTS7904SAKSA1

Teilbestand: 2985

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 40µA,

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Infineon Technologies

BSO4804HUMA2

Teilbestand: 2904

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

BSL806NL6327HTSA1

Teilbestand: 2870

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 750mV @ 11µA,

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