Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

IRF6715MTR1PBF

Teilbestand: 625

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 34A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6716MTR1PBF

Teilbestand: 566

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3412TRRPBF

Teilbestand: 538

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 29A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6604TR1

Teilbestand: 638

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 12A, 7V,

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Infineon Technologies

IRF3707STRRPBF

Teilbestand: 566

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 62A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V,

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IRFR3711ZTRRPBF

Infineon Technologies

IRFR3711ZTRRPBF

Teilbestand: 584

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 93A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V,

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IRF1404ZSTRRPBF

Infineon Technologies

IRF1404ZSTRRPBF

Teilbestand: 519

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

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IRFR12N25DTRPBF

Infineon Technologies

IRFR12N25DTRPBF

Teilbestand: 613

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS3507TRLPBF

Teilbestand: 594

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 97A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.8 mOhm @ 58A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7701GTRPBF

Teilbestand: 549

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V,

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Infineon Technologies

IRLR3303TRRPBF

Teilbestand: 490

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3706STRLPBF

Teilbestand: 597

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 77A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

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IRFR5505CTRLPBF

Infineon Technologies

IRFR5505CTRLPBF

Teilbestand: 509

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF1407STRRPBF

Teilbestand: 507

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3709STRRPBF

Teilbestand: 538

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLZ44NPBF

Teilbestand: 64236

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

IRL3302STRLPBF

Teilbestand: 615

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 23A, 7V,

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Infineon Technologies

IRF1010EPBF

Teilbestand: 44944

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 84A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V,

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IRFU3518-701PBF

Infineon Technologies

IRFU3518-701PBF

Teilbestand: 550

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 18A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFSL4310PBF

Teilbestand: 539

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLR4343TRRPBF

Teilbestand: 554

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLR7811WCTRLP

Teilbestand: 549

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6722MTR1PBF

Teilbestand: 563

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 13A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLR3714ZTRPBF

Teilbestand: 601

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF9520NSPBF

Teilbestand: 491

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 4A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3704ZCPBF

Teilbestand: 475

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFU3709Z-701P

Teilbestand: 6119

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 86A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFU540ZPBF

Teilbestand: 614

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF8721PBF

Teilbestand: 106520

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6674TRPBF

Teilbestand: 55321

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 13.4A, 10V,

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IRF1010ZSTRRPBF

Infineon Technologies

IRF1010ZSTRRPBF

Teilbestand: 526

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRL3103STRRPBF

Teilbestand: 540

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7459PBF

Teilbestand: 543

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7521D1TRPBF

Teilbestand: 645

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

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Infineon Technologies

IRFS4229PBF

Teilbestand: 15768

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 26A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR540ZPBF

Teilbestand: 138599

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

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