Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

BC858BE6433HTMA1

Teilbestand: 191126

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

BC858AE6327HTSA1

Teilbestand: 158425

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

BC858CE6327HTSA1

Teilbestand: 144745

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BCW60DE6327HTSA1

Teilbestand: 192435

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

BCX70GE6327HTSA1

Teilbestand: 146623

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

BCW60CE6327HTSA1

Teilbestand: 191193

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

BCX70JE6433HTMA1

Teilbestand: 181931

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

BCW60BE6327HTSA1

Teilbestand: 103008

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

BCX70HE6433HTMA1

Teilbestand: 176387

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

BC847CE6433HTMA1

Teilbestand: 166679

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC850BE6327HTSA1

Teilbestand: 195621

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC850CE6327HTSA1

Teilbestand: 190672

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC849CE6327HTSA1

Teilbestand: 102641

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC847BE6433HTMA1

Teilbestand: 103340

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC848CE6327HTSA1

Teilbestand: 106718

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC848BE6433HTMA1

Teilbestand: 4684

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC848AE6327HTSA1

Teilbestand: 132763

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

BC848CE6433HTMA1

Teilbestand: 150577

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC848BE6327HTSA1

Teilbestand: 194410

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PZTA14H6327XTSA1

Teilbestand: 6610

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

CHIPT0204GUE6327X6SA1

Teilbestand: 6874

PZTA42H6327XTSA1

Teilbestand: 6654

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBTA 92 E6433

Teilbestand: 6164

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

PZTA14E6327HTSA1

Teilbestand: 6209

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MMBT3904LT3XT

Teilbestand: 6212

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PZTA42E6327HTSA1

Teilbestand: 6629

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBTA 42 E6433

Teilbestand: 6167

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBT 3906 E6767

Teilbestand: 6663

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT 3906 B5003

Teilbestand: 6128

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT 3904 B5003

Teilbestand: 6168

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CHIPT0110L3E6762SX2XA1

Teilbestand: 5211

SMBTA64E6327

Teilbestand: 5451

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MMBTA92LT1

Teilbestand: 5524

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

SMBTA06E6433HTMA1

Teilbestand: 140726

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

SMBT2222AE6327HTSA1

Teilbestand: 176038

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

PZTA92E6433HTMA1

Teilbestand: 4847

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,