Teilbestand: 1645
FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 5.5V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V,
