Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, 15V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: 2 PNP (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz,
Transistortyp: 6 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 12.4dB ~ 17.5dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 27dB ~ 30dB, Leistung max: 85mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,
