Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 3

GWM160-0055X1-SMD

Teilbestand: 2839

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

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IXYS

GWM120-0075X1-SL

Teilbestand: 2858

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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IXYS

GWM160-0055P3

Teilbestand: 2735

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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IXYS

VMM1000-01P

Teilbestand: 2737

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1000A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 800A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,

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IXYS

FMM300-0055P

Teilbestand: 2746

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2mA,

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IXYS

GWM120-0075P3-SMD

Teilbestand: 2805

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 118A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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