FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1500A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 4mA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 31A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5.5V @ 250µA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 4mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 53A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 55A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 58A,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5.5V @ 3mA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 116 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 8mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 340A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 250A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 210A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2mA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 85V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 112A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,