Dioden - Gleichrichter - Einzeln

LFUSCD05120A

LFUSCD05120A

Teilbestand: 10494

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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DK208DRP

DK208DRP

Teilbestand: 124

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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D4025LTP

D4025LTP

Teilbestand: 52104

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15.9A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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LFUSCD04065A

LFUSCD04065A

Teilbestand: 25444

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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LFUSCD10120A

LFUSCD10120A

Teilbestand: 5978

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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LFUSCD20065B

LFUSCD20065B

Teilbestand: 6246

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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DURD560A

DURD560A

Teilbestand: 183133

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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LFUSCD16065B

LFUSCD16065B

Teilbestand: 7348

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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LFUSCD10065A

LFUSCD10065A

Teilbestand: 11685

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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LFUSCD15120A

LFUSCD15120A

Teilbestand: 3830

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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LFUSCD08065A

LFUSCD08065A

Teilbestand: 14068

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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DST1050S

DST1050S

Teilbestand: 234

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST8100S

DST8100S

Teilbestand: 243

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST2060DJF

DST2060DJF

Teilbestand: 137720

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST5100S-A

DST5100S-A

Teilbestand: 206

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST560S-A

DST560S-A

Teilbestand: 180

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Teilbestand: 181

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 33A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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DST1545S

DST1545S

Teilbestand: 216

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST1045S-A

DST1045S-A

Teilbestand: 155

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST2050S

DST2050S

Teilbestand: 179

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Teilbestand: 171

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 18.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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DST560S

DST560S

Teilbestand: 155

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST5100S

DST5100S

Teilbestand: 187

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST1550S

DST1550S

Teilbestand: 168

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST1050S-A

DST1050S-A

Teilbestand: 185

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DST580S

DST580S

Teilbestand: 225

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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D8020LTP

D8020LTP

Teilbestand: 31702

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12.7A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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D4020LTP

D4020LTP

Teilbestand: 35441

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12.7A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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D6020LTP

D6020LTP

Teilbestand: 33798

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12.7A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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D6015LTP

D6015LTP

Teilbestand: 34935

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 9.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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DUR6060W

DUR6060W

Teilbestand: 13121

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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DST5200

DST5200

Teilbestand: 83248

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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D4015L56

D4015L56

Teilbestand: 2750

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 9.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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D4025L

D4025L

Teilbestand: 64408

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 15.9A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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DUR75120W

DUR75120W

Teilbestand: 10405

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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D6025LTP

D6025LTP

Teilbestand: 27902

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15.9A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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