Transistoren - IGBTs - Module

MG12150S-BN2MM

MG12150S-BN2MM

Teilbestand: 851

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 150A (Typ),

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MG1225H-XBN2MM

MG1225H-XBN2MM

Teilbestand: 1121

Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 105W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 25A,

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MG06400D-BN1MM

MG06400D-BN1MM

Teilbestand: 478

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 460A, Leistung max: 1400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

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MG12150W-XN2MM

MG12150W-XN2MM

Teilbestand: 393

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 150A (Typ),

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MG12450WB-BN2MM

MG12450WB-BN2MM

Teilbestand: 419

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600A, Leistung max: 1950W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 450A (Typ),

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MG06200S-BN4MM

MG06200S-BN4MM

Teilbestand: 873

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 200A (Typ),

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MG12300D-BN3MM

MG12300D-BN3MM

Teilbestand: 430

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 450A, Leistung max: 1450W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 300A,

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MG12100S-BN2MM

MG12100S-BN2MM

Teilbestand: 1081

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 450W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A (Typ),

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MG12400D-BN2MM

MG12400D-BN2MM

Teilbestand: 499

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 580A, Leistung max: 1925W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 400A (Typ),

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MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

Teilbestand: 1143

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 105A, Leistung max: 630W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A (Typ),

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MG12300D-BA1MM

MG12300D-BA1MM

Teilbestand: 560

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 450A, Leistung max: 1800W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ),

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