Transistoren - Bipolar (BJT) - RF | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

MAX2601ESA+T

Teilbestand: 27552

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

Wunschzettel

Maxim Integrated

MAX2601ESA-T

Teilbestand: 7213

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

Wunschzettel

Maxim Integrated

MAX2601ESA+

Teilbestand: 17948

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

Wunschzettel

Maxim Integrated

MAX2602ESA+

Teilbestand: 17619

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

Wunschzettel

Maxim Integrated

MAX2602ESA-T

Teilbestand: 7183

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

Wunschzettel

Maxim Integrated

MAX2602ESA+T

Teilbestand: 27102

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

Wunschzettel