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RFQs / Order.
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DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated

DS25LV02R+T&R

Teilbestand: 1064

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (1K x 1),

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DS2016R-100+
Maxim Integrated

DS2016R-100+

Teilbestand: 1038

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS2423P+T&R
Maxim Integrated

DS2423P+T&R

Teilbestand: 1036

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16 pages),

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DS1220Y-200+
Maxim Integrated

DS1220Y-200+

Teilbestand: 924

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

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DS3070W-100#
Maxim Integrated

DS3070W-100#

Teilbestand: 1121

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1330ABP-100+
Maxim Integrated

DS1330ABP-100+

Teilbestand: 5166

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1350YP-100+
Maxim Integrated

DS1350YP-100+

Teilbestand: 1007

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS2016-100+
Maxim Integrated

DS2016-100+

Teilbestand: 9435

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS2433+
Maxim Integrated

DS2433+

Teilbestand: 1060

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16),

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DS1609-50+
Maxim Integrated

DS1609-50+

Teilbestand: 1036

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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DS3065W-100#
Maxim Integrated

DS3065W-100#

Teilbestand: 1104

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1220Y-200IND+
Maxim Integrated

DS1220Y-200IND+

Teilbestand: 952

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

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DS1265AB-100+
Maxim Integrated

DS1265AB-100+

Teilbestand: 490

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1270W-100IND#
Maxim Integrated

DS1270W-100IND#

Teilbestand: 295

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1270AB-70#
Maxim Integrated

DS1270AB-70#

Teilbestand: 330

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1250ABP-100+
Maxim Integrated

DS1250ABP-100+

Teilbestand: 598

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1265W-150+
Maxim Integrated

DS1265W-150+

Teilbestand: 508

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

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DS1270Y-70#
Maxim Integrated

DS1270Y-70#

Teilbestand: 323

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1270Y-70IND#
Maxim Integrated

DS1270Y-70IND#

Teilbestand: 359

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1265AB-70IND+
Maxim Integrated

DS1265AB-70IND+

Teilbestand: 479

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1270AB-100#
Maxim Integrated

DS1270AB-100#

Teilbestand: 347

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1270W-100#
Maxim Integrated

DS1270W-100#

Teilbestand: 354

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1270AB-70IND#
Maxim Integrated

DS1270AB-70IND#

Teilbestand: 308

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS2433S+T&R
Maxim Integrated

DS2433S+T&R

Teilbestand: 8804

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16),

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DS1250WP-100+
Maxim Integrated

DS1250WP-100+

Teilbestand: 744

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1250Y-100+
Maxim Integrated

DS1250Y-100+

Teilbestand: 702

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1249Y-100#
Maxim Integrated

DS1249Y-100#

Teilbestand: 1098

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1250WP-100IND+
Maxim Integrated

DS1250WP-100IND+

Teilbestand: 667

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1350WP-100+
Maxim Integrated

DS1350WP-100+

Teilbestand: 647

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1250Y-100IND+
Maxim Integrated

DS1250Y-100IND+

Teilbestand: 681

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1609S-50+
Maxim Integrated

DS1609S-50+

Teilbestand: 8669

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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DS1250AB-100IND+
Maxim Integrated

DS1250AB-100IND+

Teilbestand: 665

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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DS1250AB-70+
Maxim Integrated

DS1250AB-70+

Teilbestand: 743

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1225AB-70IND
Maxim Integrated

DS1225AB-70IND

Teilbestand: 401

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1249Y-70#
Maxim Integrated

DS1249Y-70#

Teilbestand: 1133

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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DS1230W-100IND
Maxim Integrated

DS1230W-100IND

Teilbestand: 111

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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