Dioden - Gleichrichter - Einzeln

MMBD914-TP

MMBD914-TP

Teilbestand: 196250

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 855mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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FS1ME-TP

FS1ME-TP

Teilbestand: 166366

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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S1M-LTP

S1M-LTP

Teilbestand: 173

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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DL914

DL914

Teilbestand: 119438

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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ER2G-LTP

ER2G-LTP

Teilbestand: 181326

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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S10DL-TP

S10DL-TP

Teilbestand: 191594

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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S10ML-TP

S10ML-TP

Teilbestand: 115961

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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RL253GP-TP

RL253GP-TP

Teilbestand: 163324

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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FS1B-LTP

FS1B-LTP

Teilbestand: 192439

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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GS2B-LTP

GS2B-LTP

Teilbestand: 181510

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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S3G-TP

S3G-TP

Teilbestand: 145665

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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ES2G-LTP

ES2G-LTP

Teilbestand: 183358

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MURS3JB-TP

MURS3JB-TP

Teilbestand: 125

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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GS2M-LTP

GS2M-LTP

Teilbestand: 135784

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MUR410GP-TP

MUR410GP-TP

Teilbestand: 153811

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 45ns,

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US1A-TP

US1A-TP

Teilbestand: 128119

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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GS2A-LTP

GS2A-LTP

Teilbestand: 198884

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MUR405GP-TP

MUR405GP-TP

Teilbestand: 179190

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 45ns,

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ER3J-TP

ER3J-TP

Teilbestand: 124549

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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ES1JE-TP

ES1JE-TP

Teilbestand: 192552

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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HER104G-TP

HER104G-TP

Teilbestand: 147166

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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SL110PL-TP

SL110PL-TP

Teilbestand: 147265

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FR10G-TP

FR10G-TP

Teilbestand: 184980

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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SMLJ60S05-TP

SMLJ60S05-TP

Teilbestand: 177919

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MMBD4448-TP

MMBD4448-TP

Teilbestand: 103214

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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GS1JFL-TP

GS1JFL-TP

Teilbestand: 92

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMD18PL-TP

SMD18PL-TP

Teilbestand: 142429

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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US5K-TP

US5K-TP

Teilbestand: 117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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SL34AFL-TP

SL34AFL-TP

Teilbestand: 174

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ER2D-LTP

ER2D-LTP

Teilbestand: 148846

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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HER102G-TP

HER102G-TP

Teilbestand: 159869

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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RB521S-30DP-TP

RB521S-30DP-TP

Teilbestand: 107400

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR860ULPS-TP

MBR860ULPS-TP

Teilbestand: 122575

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GS2JFL-TP

GS2JFL-TP

Teilbestand: 117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SK88L-TP

SK88L-TP

Teilbestand: 102833

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GS2G-LTP

GS2G-LTP

Teilbestand: 187201

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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