Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BUK7Y113-100EX

BUK7Y113-100EX

Teilbestand: 131683

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 113 mOhm @ 5A, 10V,

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BSH108,215

BSH108,215

Teilbestand: 127505

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 10V,

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BUK9Y58-75B,115

BUK9Y58-75B,115

Teilbestand: 134944

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.73A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

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BUK7Y102-100B,115

BUK7Y102-100B,115

Teilbestand: 138695

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 102 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7Y25-40B,115

BUK7Y25-40B,115

Teilbestand: 7369

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK9Y27-40B,115

BUK9Y27-40B,115

Teilbestand: 122280

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK9Y29-40E,115

BUK9Y29-40E,115

Teilbestand: 147992

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9Y107-80EX

BUK9Y107-80EX

Teilbestand: 180793

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7Y29-40EX

BUK7Y29-40EX

Teilbestand: 197115

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9M120-100EX

BUK9M120-100EX

Teilbestand: 152471

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 119 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7Y98-80EX

BUK7Y98-80EX

Teilbestand: 113126

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9M17-30EX

BUK9M17-30EX

Teilbestand: 106794

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

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BUK9Y59-60E,115

BUK9Y59-60E,115

Teilbestand: 148872

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9M42-60EX

BUK9M42-60EX

Teilbestand: 194730

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7M33-60EX

BUK7M33-60EX

Teilbestand: 138424

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7M21-40EX

BUK7M21-40EX

Teilbestand: 165595

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

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BUK7M42-60EX

BUK7M42-60EX

Teilbestand: 137994

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9M53-60EX

BUK9M53-60EX

Teilbestand: 127342

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V,

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BSS138BK,215

BSS138BK,215

Teilbestand: 197360

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 350mA, 10V,

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BSS138P,215

BSS138P,215

Teilbestand: 102987

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V,

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BUK9M52-40EX

BUK9M52-40EX

Teilbestand: 103987

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.6A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7M45-40EX

BUK7M45-40EX

Teilbestand: 141990

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9M85-60EX

BUK9M85-60EX

Teilbestand: 159357

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7M67-60EX

BUK7M67-60EX

Teilbestand: 153573

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK78150-55A/CUF

BUK78150-55A/CUF

Teilbestand: 131273

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

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BST82,215

BST82,215

Teilbestand: 101245

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

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BST82,235

BST82,235

Teilbestand: 107320

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

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BSH105,215

BSH105,215

Teilbestand: 108156

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.05A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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BSH103,235

BSH103,235

Teilbestand: 166503

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 850mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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BSS84AKMB,315

BSS84AKMB,315

Teilbestand: 134438

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

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BSH105,235

BSH105,235

Teilbestand: 159462

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.05A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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BSS84,215

BSS84,215

Teilbestand: 112337

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 130mA, 10V,

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BSH205G2VL

BSH205G2VL

Teilbestand: 115126

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 4.5V,

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BSS84AKW,115

BSS84AKW,115

Teilbestand: 194336

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

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BSS138PW,115

BSS138PW,115

Teilbestand: 186845

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V,

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BSS138BKVL

BSS138BKVL

Teilbestand: 131071

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 350mA, 10V,

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