Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Nexperia USA Inc.

2N7002PS/ZLH

Teilbestand: 2995

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PS/ZLX

Teilbestand: 2959

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002BKS/ZLX

Teilbestand: 3012

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PS,115

Teilbestand: 185058

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002BKV,115

Teilbestand: 165987

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 340mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002BKS,115

Teilbestand: 195974

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PS,125

Teilbestand: 136239

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PV,115

Teilbestand: 136107

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PSZ

Teilbestand: 2453

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K18-40EX

Teilbestand: 171094

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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BUK9K89-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K89-100E,115

Teilbestand: 171088

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BSS138BKS,115

Teilbestand: 129700

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K8R7-40EX

Teilbestand: 140529

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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BUK9K45-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K45-100E,115

Teilbestand: 140499

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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BUK9K29-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K29-100E,115

Teilbestand: 120044

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K134-100EX

Teilbestand: 189637

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 159 mOhm @ 5A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKS/ZLX

Teilbestand: 3372

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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BUK9MTT-65PBB,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MTT-65PBB,518

Teilbestand: 3325

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90.4 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MRR-65PKK,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MRR-65PKK,518

Teilbestand: 3041

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60.7 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MNN-65PKK,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MNN-65PKK,518

Teilbestand: 3039

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32.8 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MJJ-65PLL,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MJJ-65PLL,518

Teilbestand: 3037

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MGP-55PTS,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MGP-55PTS,518

Teilbestand: 2984

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V, 22.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MHH-65PNN,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MHH-65PNN,518

Teilbestand: 3036

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MFF-65PSS,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MFF-65PSS,518

Teilbestand: 2995

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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BUK9MJT-55PRF,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MJT-55PRF,518

Teilbestand: 2797

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.8 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKV,115

Teilbestand: 198874

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKS,115

Teilbestand: 164611

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K5R1-30EX

Teilbestand: 109883

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 10A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K20-80EX

Teilbestand: 2610

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K12-60EX

Teilbestand: 108473

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.7 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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BUK9K6R2-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K6R2-40E,115

Teilbestand: 116859

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K12-60EX

Teilbestand: 108455

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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BUK7K5R1-30E,115

Nexperia USA Inc.

BUK7K5R1-30E,115

Teilbestand: 109892

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K6R2-40EX

Teilbestand: 116814

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K32-100EX

Teilbestand: 108509

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K32-100EX

Teilbestand: 108431

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

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