Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Nexperia USA Inc.

BAS516,115

Teilbestand: 165465

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS29,215

Teilbestand: 135583

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS70-04WF

Teilbestand: 166496

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

BAS70,235

Teilbestand: 139693

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

BAS21W,115

Teilbestand: 154285

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 225mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAT54AWF

Teilbestand: 187471

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAT54W,135

Teilbestand: 111904

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAT54CWF

Teilbestand: 110734

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS40-06WF

Teilbestand: 8340

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 380mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

BAS116,235

Teilbestand: 130843

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 215mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

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BAT54SWF

Teilbestand: 187317

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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BAS20,215

Teilbestand: 141573

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BAS16WF

Teilbestand: 162220

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 175mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS19,215

Teilbestand: 158452

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS19,235

Teilbestand: 119882

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BAS20,235

Teilbestand: 180735

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS16,235

Teilbestand: 106439

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 215mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMLL4153,115

Teilbestand: 189696

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMLL4448,135

Teilbestand: 149270

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMLL4148L,135

Teilbestand: 170140

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010AESAYL

Teilbestand: 192041

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3015EV,115

Teilbestand: 145098

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3005AEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG3005AEV,115

Teilbestand: 167380

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2005AEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEV,115

Teilbestand: 135747

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005EH,115

Teilbestand: 123895

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005ESFYL

Teilbestand: 195157

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.42ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010EV,115

Teilbestand: 102903

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005EL,315

Teilbestand: 159202

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG1030EH,115

Teilbestand: 111526

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2002ESF,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2002ESF,315

Teilbestand: 118027

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.9ns,

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PMEG2005BELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2005BELD,315

Teilbestand: 106455

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.6ns,

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PMEG6010CEH,115

Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEH,115

Teilbestand: 193781

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010EH,115

Teilbestand: 198815

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

RB520CS3002LYL

Teilbestand: 156141

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG2005ELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2005ELD,315

Teilbestand: 138313

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7ns,

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PMEG4005AEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG4005AEV,115

Teilbestand: 129684

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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