Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

BC847CW/DG/B2,115

Teilbestand: 7033

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC856B/DG/B3,215

Teilbestand: 7074

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

BC847C/DG/B3,235

Teilbestand: 7004

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC847C/DG/B3,215

Teilbestand: 7017

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC846BW/DG/B3X

Teilbestand: 7028

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC847B/DG/B3,215

Teilbestand: 7038

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC846BW/DG/B2,135

Teilbestand: 6757

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC846BW/DG/B3F

Teilbestand: 7050

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC846BW/DG/B2,115

Teilbestand: 7018

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC846B/DG/B3,235

Teilbestand: 7055

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC846B/DG/B3,215

Teilbestand: 6997

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BUK9C07-65BIT,118

Teilbestand: 6987

BUK9277-55A/CDJ

Teilbestand: 6908

BUK92150-55A/CDJ

Teilbestand: 6925

BC860CW/ZLX

Teilbestand: 6993

BC857BW/ZLX

Teilbestand: 6980

BC847CW/ZLX

Teilbestand: 6917

BC850CW/ZLX

Teilbestand: 6969

BC846BW/ZLX

Teilbestand: 6915

BC847BW/ZLX

Teilbestand: 6993

BC807-40W/ZLX

Teilbestand: 6975

BC807-25W/ZLX

Teilbestand: 6963

BC860CW/ZLF

Teilbestand: 6939

BC859CW/ZLF

Teilbestand: 6974

BC856BW/ZLF

Teilbestand: 6925

BC850CW/ZLF

Teilbestand: 6936

BC847CW/ZLF

Teilbestand: 6961

BC847BW/ZLF

Teilbestand: 6937

BC817-40W/ZLF

Teilbestand: 6947

BC807-25W/ZLF

Teilbestand: 6960

BSP60,115

Teilbestand: 188985

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BC869,115

Teilbestand: 139270

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

BST61,115

Teilbestand: 196483

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BCX51,115

Teilbestand: 127861

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BST39,115

Teilbestand: 154160

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

BCP51-16,115

Teilbestand: 143756

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,