Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

  • Zuhause
  •  
  • Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp
EE-SA107-P2
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA107-P2

Teilbestand: 12472

Erfassungsabstand: 0.142" (3.6mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SH3-CS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-CS

Teilbestand: 18915

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SX1096-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1096-W11

Teilbestand: 5780

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SX199
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX199

Teilbestand: 22006

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SH3-G
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-G

Teilbestand: 17615

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SX1088
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088

Teilbestand: 19068

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SJ8-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ8-B

Teilbestand: 11701

Erfassungsabstand: 0.315" (8mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SV3-D
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-D

Teilbestand: 9679

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SX1042
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1042

Teilbestand: 21566

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel
EE-SX1235A-P2
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1235A-P2

Teilbestand: 15630

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

Wunschzettel