Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

  • Zuhause
  •  
  • Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
UPA2600T1R-E2-AX
Renesas Electronics America

UPA2600T1R-E2-AX

Teilbestand: 122181

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.1 mOhm @ 3.5A, 2.5V,

Wunschzettel
RJK1003DPN-E0#T2
Renesas Electronics America

RJK1003DPN-E0#T2

Teilbestand: 23631

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK03M3DPA-00#J5A

Teilbestand: 100202

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
RJK0655DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0655DPB-00#J5

Teilbestand: 66667

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.7 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK1056DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK1056DPB-00#J5

Teilbestand: 61725

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK03M1DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK03M1DPA-00#J5A

Teilbestand: 78381

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
N0434N-S23-AY
Renesas Electronics America

N0434N-S23-AY

Teilbestand: 88699

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel
RJK1575DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK1575DPA-00#J5A

Teilbestand: 49334

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK0456DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0456DPB-00#J5

Teilbestand: 61702

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
N0602N-S19-AY
Renesas Electronics America

N0602N-S19-AY

Teilbestand: 34067

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel
RJK4532DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK4532DPD-00#J2

Teilbestand: 130028

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 Ohm @ 2A, 10V,

Wunschzettel
RJK4002DJE-00#Z0
Renesas Electronics America

RJK4002DJE-00#Z0

Teilbestand: 161273

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wunschzettel
UPA2737GR-E1-AT
Renesas Electronics America

UPA2737GR-E1-AT

Teilbestand: 189730

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V,

Wunschzettel
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics America

N0604N-S19-AY

Teilbestand: 87486

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 82A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 41A, 10V,

Wunschzettel
N0412N-S19-AY
Renesas Electronics America

N0412N-S19-AY

Teilbestand: 41671

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel
RJK1054DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK1054DPB-00#J5

Teilbestand: 77174

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
UPA2820T1S-E2-AT
Renesas Electronics America

UPA2820T1S-E2-AT

Teilbestand: 152392

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 22A, 10V,

Wunschzettel
RJK03M5DNS-00#J5
Renesas Electronics America

RJK03M5DNS-00#J5

Teilbestand: 64276

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK2076DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK2076DPA-00#J5A

Teilbestand: 56749

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
UPA2822T1L-E1-AT
Renesas Electronics America

UPA2822T1L-E1-AT

Teilbestand: 122003

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 34A, 10V,

Wunschzettel
RJK2075DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK2075DPA-00#J5A

Teilbestand: 59396

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 69 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
RJK5033DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK5033DPD-00#J2

Teilbestand: 79552

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Wunschzettel
RJK5030DPP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJK5030DPP-M0#T2

Teilbestand: 37967

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 2A, 10V,

Wunschzettel
UPA2816T1S-E2-AT
Renesas Electronics America

UPA2816T1S-E2-AT

Teilbestand: 160053

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V,

Wunschzettel
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics America

UPA2814T1S-E2-AT

Teilbestand: 143934

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 24A, 5V,

Wunschzettel
RJK4002DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK4002DPD-00#J2

Teilbestand: 129997

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK03M2DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK03M2DPA-00#J5A

Teilbestand: 97493

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 22.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK03M4DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK03M4DPA-00#J5A

Teilbestand: 106426

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wunschzettel
RJK0393DPA-00#J5A
Renesas Electronics America

RJK0393DPA-00#J5A

Teilbestand: 105714

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
UPA2630T1R-E2-AX
Renesas Electronics America

UPA2630T1R-E2-AX

Teilbestand: 118519

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 1.8V,

Wunschzettel
RJK0349DSP-00#J0
Renesas Electronics America

RJK0349DSP-00#J0

Teilbestand: 131033

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
UPA2631T1R-E2-AX
Renesas Electronics America

UPA2631T1R-E2-AX

Teilbestand: 104238

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 3A, 1.8V,

Wunschzettel
RJK0656DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0656DPB-00#J5

Teilbestand: 61708

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
RJK0355DSP-00#J0
Renesas Electronics America

RJK0355DSP-00#J0

Teilbestand: 186642

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.1 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel
UPA2815T1S-E2-AT
Renesas Electronics America

UPA2815T1S-E2-AT

Teilbestand: 162321

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 21A, 10V,

Wunschzettel
RJK5033DPP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJK5033DPP-M0#T2

Teilbestand: 30545

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Wunschzettel