Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

SMA5106

Teilbestand: 13336

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Wunschzettel

Sanken

SMA4021

Teilbestand: 15638

Transistortyp: 4 PNP Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

SMA4036

Teilbestand: 15652

Transistortyp: 6 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

SLA4051

Teilbestand: 23163

Transistortyp: 9 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V,

Wunschzettel

Sanken

STA472A

Teilbestand: 23793

Transistortyp: 4 PNP Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

STA404A

Teilbestand: 19248

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.5mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

SMA6080

Teilbestand: 39886

Transistortyp: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

STA475A

Teilbestand: 23761

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

SLA4070

Teilbestand: 25053

Transistortyp: 4 PNP Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V,

Wunschzettel

Sanken

SLA6020

Teilbestand: 11384

Transistortyp: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

STA485A

Teilbestand: 24180

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 4V,

Wunschzettel

Sanken

SLA6024

Teilbestand: 11885

Transistortyp: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

STA401A

Teilbestand: 20639

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Wunschzettel

Sanken

STA406A

Teilbestand: 17636

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Wunschzettel

Sanken

SLA4390

Teilbestand: 25523

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

Wunschzettel