Dioden - Gleichrichter - Einzeln

EL02ZV

EL02ZV

Teilbestand: 179278

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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SJPB-H4V

SJPB-H4V

Teilbestand: 173435

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SJPE-H4V

SJPE-H4V

Teilbestand: 138296

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EG 1V

EG 1V

Teilbestand: 181171

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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EM 2V0

EM 2V0

Teilbestand: 116598

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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EK 06V1

EK 06V1

Teilbestand: 172639

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SJPJ-H3V

SJPJ-H3V

Teilbestand: 102825

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EN 01ZV0

EN 01ZV0

Teilbestand: 168480

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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SJPA-D3VR

SJPA-D3VR

Teilbestand: 118575

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EM01AV

EM01AV

Teilbestand: 116246

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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ES01AV1

ES01AV1

Teilbestand: 176344

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 800mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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SJPB-H9VR

SJPB-H9VR

Teilbestand: 197218

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SARS01V

SARS01V

Teilbestand: 137912

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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EG01AV

EG01AV

Teilbestand: 149557

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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SJPB-D4VL

SJPB-D4VL

Teilbestand: 174057

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EU01ZV

EU01ZV

Teilbestand: 155796

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 250mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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EU 2ZV1

EU 2ZV1

Teilbestand: 119845

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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EG01C

EG01C

Teilbestand: 191052

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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EG 1A

EG 1A

Teilbestand: 152053

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 600mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 600mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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EK 09V0

EK 09V0

Teilbestand: 100299

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SJPW-F6

SJPW-F6

Teilbestand: 107531

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SJPB-H6V

SJPB-H6V

Teilbestand: 145506

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EG01CV0

EG01CV0

Teilbestand: 194815

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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EL02ZV1

EL02ZV1

Teilbestand: 191674

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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EM 2BV1

EM 2BV1

Teilbestand: 103402

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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EM01A

EM01A

Teilbestand: 159727

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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EL02ZV0

EL02ZV0

Teilbestand: 191652

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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SJPE-H4

SJPE-H4

Teilbestand: 111018

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EU 2V0

EU 2V0

Teilbestand: 179861

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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SJPJ-L3V

SJPJ-L3V

Teilbestand: 192228

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EM 1V1

EM 1V1

Teilbestand: 195635

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SJPA-L3V

SJPA-L3V

Teilbestand: 168064

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES01AV

ES01AV

Teilbestand: 182667

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 800mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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SJPM-H4VL

SJPM-H4VL

Teilbestand: 152061

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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EG01AV1

EG01AV1

Teilbestand: 154401

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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EU02AV0

EU02AV0

Teilbestand: 109769

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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