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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Erinnerung

BQ2022LPR
Texas Instruments

BQ2022LPR

Teilbestand: 9450

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (256b x 4 pages),

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BQ2022DBZR
Texas Instruments

BQ2022DBZR

Teilbestand: 4767

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (256b x 4 pages),

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BQ4011YMA-70
Texas Instruments

BQ4011YMA-70

Teilbestand: 4741

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4010YMA-70
Texas Instruments

BQ4010YMA-70

Teilbestand: 4676

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4010MA-85
Texas Instruments

BQ4010MA-85

Teilbestand: 4669

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4011MA-100
Texas Instruments

BQ4011MA-100

Teilbestand: 6536

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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BQ4013YMA-70
Texas Instruments

BQ4013YMA-70

Teilbestand: 4637

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4013YMA-70N
Texas Instruments

BQ4013YMA-70N

Teilbestand: 4610

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4013YMA-85
Texas Instruments

BQ4013YMA-85

Teilbestand: 4576

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4014YMB-85
Texas Instruments

BQ4014YMB-85

Teilbestand: 4559

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4014MB-85
Texas Instruments

BQ4014MB-85

Teilbestand: 4557

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4015YMA-70
Texas Instruments

BQ4015YMA-70

Teilbestand: 4519

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4016YMC-70
Texas Instruments

BQ4016YMC-70

Teilbestand: 4582

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4016MC-70
Texas Instruments

BQ4016MC-70

Teilbestand: 4506

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4015MA-70
Texas Instruments

BQ4015MA-70

Teilbestand: 4463

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4013YMA-120
Texas Instruments

BQ4013YMA-120

Teilbestand: 2539

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

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BQ4010YMA-200
Texas Instruments

BQ4010YMA-200

Teilbestand: 2541

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

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BQ4011LYMA-70N
Texas Instruments

BQ4011LYMA-70N

Teilbestand: 2402

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4011YMA-100
Texas Instruments

BQ4011YMA-100

Teilbestand: 6082

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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BQ2022LPRE3
Texas Instruments

BQ2022LPRE3

Teilbestand: 1488

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (256b x 4 pages),

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BQ4017YMC-70
Texas Instruments

BQ4017YMC-70

Teilbestand: 671

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4014MB-120
Texas Instruments

BQ4014MB-120

Teilbestand: 622

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

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BQ4015MA-85
Texas Instruments

BQ4015MA-85

Teilbestand: 637

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4014YMB-120
Texas Instruments

BQ4014YMB-120

Teilbestand: 578

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 2Mb (256K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

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BQ4013YMA-85N
Texas Instruments

BQ4013YMA-85N

Teilbestand: 602

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4013MA-85
Texas Instruments

BQ4013MA-85

Teilbestand: 589

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4013MA-120
Texas Instruments

BQ4013MA-120

Teilbestand: 553

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

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BQ4011YMA-70N
Texas Instruments

BQ4011YMA-70N

Teilbestand: 600

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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BQ4011YMA-200
Texas Instruments

BQ4011YMA-200

Teilbestand: 546

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

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BQ4011YMA-150
Texas Instruments

BQ4011YMA-150

Teilbestand: 550

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

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BQ4011YMA-150N
Texas Instruments

BQ4011YMA-150N

Teilbestand: 493

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

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BQ4011MA-150
Texas Instruments

BQ4011MA-150

Teilbestand: 555

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

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BQ4011MA-200
Texas Instruments

BQ4011MA-200

Teilbestand: 485

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

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BQ4010YMA-85
Texas Instruments

BQ4010YMA-85

Teilbestand: 551

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4010YMA-85N
Texas Instruments

BQ4010YMA-85N

Teilbestand: 447

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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BQ4010YMA-70N
Texas Instruments

BQ4010YMA-70N

Teilbestand: 486

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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