Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

CSD88599Q5DCT

CSD88599Q5DCT

Teilbestand: 14468

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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CSD87333Q3DT

CSD87333Q3DT

Teilbestand: 70653

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD87381P

CSD87381P

Teilbestand: 131899

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD87350Q5D

CSD87350Q5D

Teilbestand: 68849

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD86336Q3DT

CSD86336Q3DT

Teilbestand: 2714

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

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CSD83325L

CSD83325L

Teilbestand: 156131

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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CSD87588NT

CSD87588NT

Teilbestand: 67251

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD87381PT

CSD87381PT

Teilbestand: 109565

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD87355Q5DT

CSD87355Q5DT

Teilbestand: 39849

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD87313DMST

CSD87313DMST

Teilbestand: 49889

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD85302LT

CSD85302LT

Teilbestand: 177129

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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CSD88599Q5DC

CSD88599Q5DC

Teilbestand: 22783

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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CSD86356Q5DT

CSD86356Q5DT

Teilbestand: 2723

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

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TPS1120D

TPS1120D

Teilbestand: 27273

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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CSD87384M

CSD87384M

Teilbestand: 105031

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD83325LT

CSD83325LT

Teilbestand: 151301

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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CSD87355Q5D

CSD87355Q5D

Teilbestand: 70450

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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TPS1120DG4

TPS1120DG4

Teilbestand: 42271

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

Teilbestand: 187545

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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CSD88584Q5DCT

CSD88584Q5DCT

Teilbestand: 10445

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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CSD87335Q3D

CSD87335Q3D

Teilbestand: 96785

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

Teilbestand: 140901

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

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CSD75301W1015

CSD75301W1015

Teilbestand: 2951

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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CSD88539NDT

CSD88539NDT

Teilbestand: 108250

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 250µA,

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CSD85301Q2T

CSD85301Q2T

Teilbestand: 172784

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

Teilbestand: 166053

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 7A , 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

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CSD87384MT

CSD87384MT

Teilbestand: 49054

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD88584Q5DC

CSD88584Q5DC

Teilbestand: 25476

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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CSD87334Q3D

CSD87334Q3D

Teilbestand: 121075

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD87503Q3ET

CSD87503Q3ET

Teilbestand: 4047

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD88539ND

CSD88539ND

Teilbestand: 153712

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 250µA,

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TPS1120DR

TPS1120DR

Teilbestand: 79109

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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CSD86350Q5D

CSD86350Q5D

Teilbestand: 61562

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD85301Q2

CSD85301Q2

Teilbestand: 106554

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD87313DMS

CSD87313DMS

Teilbestand: 10773

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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CSD87503Q3E

CSD87503Q3E

Teilbestand: 10848

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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