Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TPH3202PD

Teilbestand: 7016

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3205WSB

Teilbestand: 3254

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3208PD

Teilbestand: 986

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3207WS

Teilbestand: 2351

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

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TPH3206LS

Teilbestand: 6040

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LS

Teilbestand: 5664

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3208PS

Teilbestand: 6263

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206PD

Teilbestand: 5709

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3206PS

Teilbestand: 6777

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H035WS

Teilbestand: 2828

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 12V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

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TPH3208LDG

Teilbestand: 5597

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206LDGB

Teilbestand: 6072

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H050WS

Teilbestand: 1890

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 12V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

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TPH3206LD

Teilbestand: 6066

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LSG

Teilbestand: 1701

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

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TPH3205WSBQA

Teilbestand: 2970

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3206PSB

Teilbestand: 6741

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TP90H180PS

Teilbestand: 2997

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

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TPH3206LSB

Teilbestand: 6120

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TPH3212PS

Teilbestand: 4430

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

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TPH3202LD

Teilbestand: 6662

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3202LS

Teilbestand: 6623

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3208LD

Teilbestand: 5648

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3202PS

Teilbestand: 7016

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3206LDB

Teilbestand: 6074

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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