FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
