Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

OPB827D

OPB827D

Teilbestand: 9608

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390T55

OPB390T55

Teilbestand: 6011

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB871N55TXV

OPB871N55TXV

Teilbestand: 318

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB891L51

OPB891L51

Teilbestand: 6128

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB375N11

OPB375N11

Teilbestand: 6008

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB842L51

OPB842L51

Teilbestand: 5996

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB876N55

OPB876N55

Teilbestand: 34223

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB872N51TX

OPB872N51TX

Teilbestand: 357

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB375N55

OPB375N55

Teilbestand: 6029

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB880N55

OPB880N55

Teilbestand: 6087

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB880L11Z

OPB880L11Z

Teilbestand: 6035

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB881P55Z

OPB881P55Z

Teilbestand: 6112

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB370P11

OPB370P11

Teilbestand: 6041

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB860L55

OPB860L55

Teilbestand: 32839

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB876T51

OPB876T51

Teilbestand: 6065

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390L51

OPB390L51

Teilbestand: 6033

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB882P55

OPB882P55

Teilbestand: 5968

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB877P51

OPB877P51

Teilbestand: 6123

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB829A

OPB829A

Teilbestand: 6084

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB800W51

OPB800W51

Teilbestand: 9623

Erfassungsabstand: 0.375" (9.53mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB380T55

OPB380T55

Teilbestand: 5957

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB831W55

OPB831W55

Teilbestand: 6030

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB841W55

OPB841W55

Teilbestand: 6028

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB370P55

OPB370P55

Teilbestand: 6091

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB690

OPB690

Teilbestand: 6004

Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: Transistor, Base-Emitter Resistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390P51

OPB390P51

Teilbestand: 6027

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB867L55

OPB867L55

Teilbestand: 39010

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB876N51

OPB876N51

Teilbestand: 5948

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB827B

OPB827B

Teilbestand: 6005

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB842L55

OPB842L55

Teilbestand: 6079

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB380L51

OPB380L51

Teilbestand: 5981

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB892N51Z

OPB892N51Z

Teilbestand: 5965

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB880P55

OPB880P55

Teilbestand: 5955

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB890N11Z

OPB890N11Z

Teilbestand: 18161

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB892T51Z

OPB892T51Z

Teilbestand: 6061

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB845B

OPB845B

Teilbestand: 6016

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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